半導体レ—ザダイオ—ド
文献类型：专利
| 作者 | 鴫原 君男 |
| 发表日期 | 2000-07-18 |
| 专利号 | JP2000200940A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザダイオ—ド |
| 英文摘要 | 【課題】 横モードの単一化が図れかつ高出力化が可能な半導体レーザダイオードを提供する。 【解決手段】 共振方向に長手方向が一致しかつレーザ光の基本モードに対する実効的な屈折率より大きい第1の屈折率を有する活性領域と、活性領域の両側に第2の屈折率を有するクラッド領域とを並置して形成することにより活性領域に光を閉じ込めるようにし、活性領域とクラッド領域の各間に第1と第2の屈折率より小さい第3の屈折率を有する低屈折率領域を設けかつ、活性領域の一部に半導体レーザダイオードが発振するレーザ光の基本モードを伝播させかつ高次モードの伝播を阻止するカットオフ領域が形成されるように、活性領域の幅と上記低屈折率領域の幅とを設定した。 |
| 公开日期 | 2000-07-18 |
| 申请日期 | 1999-01-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83984]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鴫原 君男. 半導体レ—ザダイオ—ド. JP2000200940A. 2000-07-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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