半導体レーザ素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 本多 正治; 松川 健一 |
| 发表日期 | 1993-03-26 |
| 专利号 | JP1993075206A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 瞬時光学損傷を防止して、高光出力を可能にする簡単な構造のAlGaInP系半導体等からなる半導体レーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 n形AlGaInPクラッド層3とp形AlGaInPクラッド層5の間にAlGaInP活性層4とからなるAlGaInP系半導体レーザ装置において、p形AlGaInPクラッド層5の光放出を行う端面に(NH4)2C4O6溶液で処理した後、熱処理を行うことにより、p形AlGaInPクラッド層5のうち端面付近25のpキャリア濃度を低減し、高抵抗にする。 |
| 公开日期 | 1993-03-26 |
| 申请日期 | 1991-09-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83988]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 本多 正治,松川 健一. 半導体レーザ素子とその製造方法. JP1993075206A. 1993-03-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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