半導体光装置
文献类型：专利
| 作者 | 松本 信一; 馬渡 宏泰; 小高 勇 |
| 发表日期 | 1997-03-28 |
| 专利号 | JP1997083077A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 マスクに庇を形成することなく、平坦な埋め込み成長が可能であり、電極層の部分的エッチングを回避し、素子抵抗の低減が可能な高抵抗埋め込み構造半導体レーザを提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体能動層1と、該半導体能動層1の上部に位置するクラッド層2と、該クラッド層2の上部に位置する電極層3とを内蔵するストライプ状のメサ構造11を有し、前記メサ構造11の両側が半絶縁性半導体結晶7によって埋め込まれている半導体光装置において、前記メサ構造11の断面の形状が、前記電極層3から前記クラッド層2のある位置36に至るまでは裾広がりの順テーパ状12であり、前記クラッド層2のある位置36から前記活性層1に至るまでは裾狭まりの逆テーパ状13であることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1997-03-28 |
| 申请日期 | 1995-09-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83997]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 信一,馬渡 宏泰,小高 勇. 半導体光装置. JP1997083077A. 1997-03-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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