半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 康洋; 植木 峰雄; 山本 ▲みつ▼夫 |
| 发表日期 | 1997-03-28 |
| 专利号 | JP1997083060A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 メサ構造の高さを特に低くすることなく、メサ構造の側面上部での電流ブロック層の異常成長を抑制することが可能な半導体レーザの製造方法を提供すること。 【解決手段】 主面の結晶面が(100)となる化合物半導体基板主面に、バッファ層、活性層、クラッド層、キャップ層を順次堆積させて積層構造を形成する工程と、メサ構造を形成するための選択成長膜からなるマスクを形成する工程と、前記積層構造の両側を前記マスクを用いてエッチングし、前記活性層より上部の一部もしくは全部が逆メサ形状となり、前記活性層を含む下部がストライプ状となるメサ構造を形成する工程と、前記メサ構造の両側を有機金属気相成長法により成長させた化合物半導体からなる電流ブロック層で埋め込む工程と、前記マスクを除去する工程とを具備する。 |
| 公开日期 | 1997-03-28 |
| 申请日期 | 1995-09-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83999]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 康洋,植木 峰雄,山本 ▲みつ▼夫. 半導体レーザの製造方法. JP1997083060A. 1997-03-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。