半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 隆志 |
| 发表日期 | 2009-04-23 |
| 专利号 | JP2009088411A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザ発振波長を変更可能であって、光学的損失を抑えつつ光処理素子を同一基板上に集積可能な半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】半導体レーザ素子1は、第1の反射手段3及び第2の反射手段5によってレーザキャビティが構成されている。第2の反射手段5は、利得導波路7及び第1の反射手段3と直列に半導体基板S上に配置されたチャープ型回折格子55であり、半導体レーザ素子1におけるレーザ光の出射面として機能する。このような構成により、溝をレーザ光の反射手段にする場合とは異なり、溝を挟んだ2つの半導体光導波路の光結合効率や、溝内での多重反射の影響を回避することが可能となっており、光学的損失を抑えつつ光処理素子を同一半導体基板S上に集積できる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-04-23 |
| 申请日期 | 2007-10-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84002]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 隆志. 半導体レーザ素子. JP2009088411A. 2009-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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