半導体エピタキシャル成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 冨谷 茂隆; 中野 一志; 伊藤 哲; 湊屋 理佳子 |
| 发表日期 | 1996-05-07 |
| 专利号 | JP1996115877A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体エピタキシャル成長方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 II-VI 族化合物半導体のエピタキシャル成長において、確実にうねりの発生を回避できるようにし、例えば半導体発光素子の製造方法に適用して安定して、寿命、発光特性にすぐれた半導体発光素子を得ることができるようにする。 【構成】 II-VI 族化合物半導体のエピタキシャル成長にあたり、そのエピタキシャル成長時のVI/II比すなわちVI族元素とII族元素の供給比を3〜2.5に選定する。 |
| 公开日期 | 1996-05-07 |
| 申请日期 | 1994-10-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84004]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨谷 茂隆,中野 一志,伊藤 哲,等. 半導体エピタキシャル成長方法. JP1996115877A. 1996-05-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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