半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大西 俊一; 足立 秀人; 高森 晃 |
| 发表日期 | 2000-06-16 |
| 专利号 | JP2000164969A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRONICS INDUSTRY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 共振器端面の光学損傷破壊(COD)を抑制し、高出力動作時の信頼性が改善された半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 共振器端面110が保護膜340によって被覆されている半導体レーザの製造方法であって、該共振器端面110に存在する汚染物を低ダメージで除去し、該共振器端面110をクリーニングするクリーニング工程と、クリーニングした該共振器端面110上に、低ダメージで該保護膜340を堆積する堆積工程と、を包含する半導体レーザの製造方法。 |
| 公开日期 | 2000-06-16 |
| 申请日期 | 1998-11-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84008]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRONICS INDUSTRY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大西 俊一,足立 秀人,高森 晃. 半導体レーザの製造方法. JP2000164969A. 2000-06-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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