半導体分布帰還型レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 多田 邦雄; 中野 義昭; 曹 宏力; 羅 毅 |
| 发表日期 | 1993-06-25 |
| 专利号 | JP1993160505A |
| 著作权人 | HIKARI KEISOKU GIJUTSU KAIHATSU KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 周期的な光吸収層を設けて等価的な利得に周期変化をもたせた利得結合型の半導体分布帰還型レーザ装置において、光吸収層の形状を最適化する。 【構成】 光吸収層によって生じる平均吸収損失が小さく、それでいて利得結合が十分に得られる程度に一周期毎の光吸収層の長さおよびその幅を設定する。 |
| 公开日期 | 1993-06-25 |
| 申请日期 | 1991-12-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84012]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HIKARI KEISOKU GIJUTSU KAIHATSU KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 多田 邦雄,中野 義昭,曹 宏力,等. 半導体分布帰還型レーザ装置. JP1993160505A. 1993-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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