半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 浅野 英樹 |
| 发表日期 | 2000-09-14 |
| 专利号 | JP2000252585A |
| 著作权人 | 富士フイルム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】横多モード発振をするストライプ構造を有する半導体レーザにおいて、光出力の安定した低雑音発振を行う。 【解決手段】n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。このとき2つの光ガイド層の合計厚を0.7μmとする。リッジ構造は幅約50μmのメサ形状にする。メサ部以外ではp-AlGaAsクラッド層25の残し厚みが0.2μmとなるようにエッチングを行い、メサ部で等価的に屈折率が高くなるようにして屈折率導波路を形成する。作製した素子は所定の共振器長に劈開した後、前面に10%、後面に90%の反射膜を形成した後、ヒートシンク上に活性層から遠い方の面側であるn-GaAs基板側をAuSnを接着剤に用いて融着する。(ジャンクションアップ組立方式) |
| 公开日期 | 2000-09-14 |
| 申请日期 | 1999-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84016]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士フイルム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅野 英樹. 半導体発光装置. JP2000252585A. 2000-09-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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