半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田尻 敦志; 林 伸彦 |
| 发表日期 | 1997-04-04 |
| 专利号 | JP1997092928A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 組み立て時に手間をかけることなく光出力を容易かつ正確にモニタすることができ、かつ量産時の特性のばらつきが小さい半導体レーザ装置を提供することである。 【解決手段】 ストライプ状のリッジ部の上部のp-AlGaAsクラッド層9上にp-GaAsコンタクト層10を形成し、p-GaAsコンタクト層10上にSiOX 膜11およびSiN膜12を順に形成する。ストライプ状のリッジ部の上部におけるSiN膜12にレーザビームをストライプ状に照射することによりp-GaAsコンタクト層10にストライプ状のSi拡散領域14を形成する。SiOX 膜11およびSiN膜12をパターニングした後、Si拡散領域14上にモニタ用電極15を形成し、p-GaAsコンタクト層10上にレーザ用電極16を形成する。 |
| 公开日期 | 1997-04-04 |
| 申请日期 | 1995-09-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84017]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田尻 敦志,林 伸彦. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1997092928A. 1997-04-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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