半導体素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤原 正敏 |
| 发表日期 | 2000-03-31 |
| 专利号 | JP2000091313A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジへの有機誘電体層の埋め込み後に、表面荒れを発生させずかつ平坦な有機誘電体層を付与するための半導体素子の製造方法、並びにその方法によって得られる半導体素子を得る。 【解決手段】 半導体基板上に活性層、クラッド層、電流ブロック層およびコンタクト層を含んで成るストライプパターン形態のリッジを有する半導体素子の製造方法であって、1)リッジを完全に被覆するように前記基板上に有機誘電体層を形成すること、2)前記有機誘電体層上にさらにエッチング保護用樹脂組成物薄膜を形成すること、および3)前記エッチング保護用樹脂組成物薄膜および有機誘電体層を、前記リッジの上部表面が完全に露出するまでドライエッチングすることを含む前記リッジの両側面に有機誘電体層を密着させて形成する工程を含む半導体素子の製造方法。 |
| 公开日期 | 2000-03-31 |
| 申请日期 | 1998-09-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84024]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤原 正敏. 半導体素子およびその製造方法. JP2000091313A. 2000-03-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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