分布帰還型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 東門 領一; 菊川 知之 |
| 发表日期 | 1995-04-21 |
| 专利号 | JP1995106697A |
| 著作权人 | アンリツ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】利得結合型の分布帰還半導体レーザを、凹凸面を形成することなく得ることを目的とする。 【構成】活性層4の近傍にバッファ層5とクラッド層8の間に設けられた量子井戸層6が、活性層4の発振波長において光吸収性を有している。そして、その量子井戸層6は誘導放出光の光軸方向に沿って分布帰還を施す周期で無秩序化された第1の領域9と、バッファ層5、クラッド層8と同一の導電性を有する第2の領域10とを含み第1の領域は第2の領域よりも低い光吸収率を有している。 |
| 公开日期 | 1995-04-21 |
| 申请日期 | 1993-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84033]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アンリツ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東門 領一,菊川 知之. 分布帰還型半導体レーザ. JP1995106697A. 1995-04-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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