分布帰還型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 魚見 和久; 土屋 朋信; 岡井 誠; 中村 厚 |
| 发表日期 | 1995-09-26 |
| 专利号 | JP1995249829A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明の目的は、広い温度範囲、例えば-40℃~+85℃で安定に動作する光通信用分布帰還型半導体レーザを提供することにある。 【構成】 歪量子井戸活性層5を有する分布帰還型半導体レーザにおいて、活性層を構成する各量子井戸層の量子井戸層膜厚、混晶組成歪量、あるいは歪量を変化させることにより、各量子井戸層からの量子準位発光波長を変化させ、さらに、井戸数、歪量、量子井戸膜厚等の構造を適切に設定し、離調波長ΔGの温度依存性dΔG/dTが極めて小さな分布帰還型半導体レーザを得る。 【効果】 離調波長ΔGの温度依存性dΔG/dTを極めて小さくできるので、分布帰還型半導体レーザの安定な広範囲温度動作に対して効果がある。 |
| 公开日期 | 1995-09-26 |
| 申请日期 | 1994-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84045]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魚見 和久,土屋 朋信,岡井 誠,等. 分布帰還型半導体レーザ. JP1995249829A. 1995-09-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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