半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 谷口 理; 日野 智公; 奥山 浩之; 石橋 晃 |
| 发表日期 | 1997-09-05 |
| 专利号 | JP1997232688A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 しきい値電流密度が低く、しかも長寿命のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板上にバッファ層を介してn型ZnMgSSeクラッド層、n型ZnSSe光導波層、歪補償構造の活性層、p型ZnSSe光導波層、p型ZnMgSSeクラッド層などを順次積層して構成される半導体発光素子において、その活性層をZnCdSeなどからなる単一の量子井戸層をZnSSeなどからなる障壁層ではさんだ構造とする。 |
| 公开日期 | 1997-09-05 |
| 申请日期 | 1996-02-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84050]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷口 理,日野 智公,奥山 浩之,等. 半導体発光素子. JP1997232688A. 1997-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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