窒化物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 蝶々 一幸; 妹尾 雅之 |
| 发表日期 | 1998-03-06 |
| 专利号 | JP1998065213A |
| 著作权人 | NICHIA CHEM IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 Vfの低い窒化物半導体素子を実現して、発熱量の少ない素子を提供し、素子寿命を向上させると共に、LDのような高温動作のデバイスの連続発振を目指す。 【構成】 負電極が表面に形成されたn型コンタクト層と、正電極が表面に形成されたp型窒化物半導体よりなるp型コンタクト層とを有する窒化物半導体素子において、前記負電極と、n型コンタクト層との界面には凹凸が設けられていることにより、抵抗値が低下して、Vfが低下する。 |
| 公开日期 | 1998-03-06 |
| 申请日期 | 1996-08-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84065]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NICHIA CHEM IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蝶々 一幸,妹尾 雅之. 窒化物半導体素子. JP1998065213A. 1998-03-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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