光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 森本 卓夫 |
| 发表日期 | 2010-01-07 |
| 专利号 | JP2010003950A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】製造工程を増やすことなく、FFPの乱れを抑えた光半導体装置の提供。 【解決手段】本発明に係る光半導体装置は、導波光の出射端面15から内部へ形成された第1の導波路10と、第1の導波路10よりも幅の広い第2の導波路12と、第1の導波路10と第2の導波路12を接続し、連続的に幅が変化したテーパ導波路11とを備え、真空中の光の波長をλ[μm]、導波路領域の等価屈折率をneq、グースヘンシェンシフトを考慮した第2の導波路12の実効幅をWe[μm]、テーパ導波路11の境界線を構成する直線又は曲線の平均傾きと、テーパ導波路11と第2の導波路12との接続点における前記直線又は曲線の傾きとの比率をa、0以上の整数N、とした場合、第2の導波路12の長さ[μm]が、(N+a/2-0.25)neqWe2/λ以上、(N+a/2+0.25)neqWe2/λ以下、かつ0以上である。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-01-07 |
| 申请日期 | 2008-06-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84069]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森本 卓夫. 光半導体装置. JP2010003950A. 2010-01-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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