光半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 北村 昌太郎 |
| 发表日期 | 1999-07-13 |
| 专利号 | JP1999191656A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 光ゲートスイッチとして機能するSOAの光導波路の両端に、レンズ系を用いずに光ファイバを直接的に光接続したとき、入力側の光ファイバから光導波路の周囲に入射された非導波の迷光が、出力側の光ファイバに入らないようにする。 【解決手段】 光導波路3を湾曲した形状に形成し、光導波路3の両端に位置する一対の光ファイバ15が直接に対向しないようにした。 |
| 公开日期 | 1999-07-13 |
| 申请日期 | 1997-12-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84071]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 昌太郎. 光半導体素子. JP1999191656A. 1999-07-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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