半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 高森 毅; 渡邊 賢司; 福永 敏明 |
| 发表日期 | 1993-11-16 |
| 专利号 | JP1993304342A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 分子線エピタキシャル成長法を用いて、効率の高い電流狭窄と、効率の高い光の閉じ込め構造を持つ半導体レーザ素子を簡単な1回の成長で形成する。 【構成】 半導体レーザ素子の製造方法において、半導体基板上に逆メサ構造の段差付き基板を形成し、その基板上に分子線エピタキシャル成長法により、n-GaAsバッファ層7、n-AlGaAsクラッド層8、第1の光導波層としてのGRIN-AlGaAs層9、GaAs単一井戸活性層10、第2の光導波層としてのGRIN-AlGaAs層11、p-AlGaAsクラッド層12、p-GaAsコンタクト層13を順次形成し、両側をポリイミドで埋め、表面にp側電極、裏面にn側電極をそれぞれ形成する。 |
| 公开日期 | 1993-11-16 |
| 申请日期 | 1992-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84076]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高森 毅,渡邊 賢司,福永 敏明. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1993304342A. 1993-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。