光パルス発生素子
文献类型：专利
| 作者 | 太田 浩一; 菅 博文; 森田 剛徳 |
| 发表日期 | 1998-08-25 |
| 专利号 | JP1998229252A |
| 著作权人 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光パルス発生素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 超短パルスで高ピーク出力の光パルスを発生できる光パルス発生素子を提供することを課題とする。 【解決手段】 n型クラッド層37とp型クラッド層40の間にノンドープ活性層38を挟んだダブルヘテロ構造の光パルス発生素子において、ノンドープ活性層38とp型クラッド層40の間にノンドープクラッド層39を挟み込み、2つのp型電極42、43によってレーザ共振器は長手方向に3つに分割され、2つの利得領域31が1つの可飽和吸収領域32を挟んだ構造になっている。利得領域31にRF変調信号、可飽和吸収領域32にDC逆バイアスを印加することにより、吸収領域の応答速度を向上させ、パルス幅が短く高出力の超短パルスを発生させることができる。 |
| 公开日期 | 1998-08-25 |
| 申请日期 | 1997-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84077]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田 浩一,菅 博文,森田 剛徳. 光パルス発生素子. JP1998229252A. 1998-08-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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