光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 東 敏生; 雙田 晴久 |
| 发表日期 | 1995-06-02 |
| 专利号 | JP1995142697A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 光源および検出器として機能する光半導体装置に関し、発振閾値が低く、かつ偏波依存性の減少した受光発光半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の光半導体装置は、III-V族化合物半導体で形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、1導電型を有する第1クラッド層と、前記第1クラッド層上に形成され、量子井戸構造を有する活性領域と、前記活性層上に形成され、前記1導電型と逆の逆導電型を有する第2クラッド層と、前記第1クラッド層または前記第2クラッド層中に挿入され、引張歪を有する選択的光吸収層とを有する。 |
| 公开日期 | 1995-06-02 |
| 申请日期 | 1993-11-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84091]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東 敏生,雙田 晴久. 光半導体装置. JP1995142697A. 1995-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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