半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | ▲浜▼本 貴一 |
| 发表日期 | 1999-03-09 |
| 专利号 | JP1999068241A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザーにおいて、高光出力特性でシングルモード光を出力する。 【解決手段】 1×1マルチモード干渉型(1×1-MMI)光導波路であるマルチモード導波路領域1と、その両端部に接続されている1対のシングルモード導波路領域2、3とからなる光導波路構造が設けられている。マルチモード導波路領域1は、長さが280μm程度で導波路幅W1が10μmであり、シングルモード導波路領域2、3は、それぞれ長さが50μm程度で導波路幅W2が2μmである。1×1-MMI光導波路を用いることによりシングルモード光出力が可能であるとともに、導波路幅が広いため高出力が得られる。 |
| 公开日期 | 1999-03-09 |
| 申请日期 | 1997-08-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84094]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲浜▼本 貴一. 半導体レーザー. JP1999068241A. 1999-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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