半導体発光装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 加守田 裕樹 |
| 发表日期 | 1993-02-26 |
| 专利号 | JP1993048199A |
| 著作权人 | オムロン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 赤色半導体レ-ザ素子のような半導体発光装置を2回の結晶成長によって製造できるようにし、しかも、電極との接触抵抗を小さくする。 【構成】 第1回目の成長工程で、MBE法またはMOCVD法を用い、n型GaAs基板1の上にn型GaAsバッファ層2、n型AlGaInP下部クラッド層3、GaInP活性層4、p型AlGaInP上部クラッド層5、n型GaAsキャップ層6を順次成長させる。つぎに、キャップ層6及び上部クラッド層5を適当な深さまでエッチングしてリッジ部8を形成する。この後、第2回目の成長工程において、リッジ部8の両側面及び上面にn型GaAs電流阻止層9を成長させ、電流阻止層9の上面から上部クラッド層5に達する深さまでZnを拡散させ、p型反転領域10を形成する。 |
| 公开日期 | 1993-02-26 |
| 申请日期 | 1991-08-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84099]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オムロン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加守田 裕樹. 半導体発光装置及びその製造方法. JP1993048199A. 1993-02-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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