半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 野澤 博; 佐々木 徹; 天明 二郎; 柴田 知尋; 須郷 満 |
| 发表日期 | 2000-08-22 |
| 专利号 | JP2000232254A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】低コストで簡単に作製できる高出力且つ高信頼性を具備した半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】GaAlAsの下部クラッド層12、GaAsのバルク活性層13、GaAlAsの上部クラッド層14をGaAsの基板11上に成長させ、光出射端面周辺を下部クラッド層12に達する深さまでエッチングし、当該部分にアンドープGaAlAsの下部クラッド層15、アンドープGaAlAsのコア層16、アンドープGaAlAsの上部クラッド層17をMOVPE法により選択領域的に再成長させ、GaAlAsの上部クラッド層18およびGaAsのコンタクト層19を成長させた後、ECRプラズマエッチングにより光出射方向に沿って光導波路10を形成し、表面電極および裏面電極を形成して劈開したら、前端面に反射防止膜を形成し、後端面に高反射膜を形成する。 |
| 公开日期 | 2000-08-22 |
| 申请日期 | 1999-02-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84102]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野澤 博,佐々木 徹,天明 二郎,等. 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法. JP2000232254A. 2000-08-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。