光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 大橋 真; 古山 英人 |
| 发表日期 | 1995-08-04 |
| 专利号 | JP1995202321A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】高利得で厚い活性層からなる活性領域を実現し得る構造の光半導体装置を提供すること。 【構成】複数のダブルへテロ構造が積層されてなる活性領域16と、ダブルヘテロ構造のヘテロ接合面に平行な方向からキャリアを注入するための半導体電極層18,19とを備えている。 |
| 公开日期 | 1995-08-04 |
| 申请日期 | 1993-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84105]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大橋 真,古山 英人. 光半導体装置. JP1995202321A. 1995-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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