分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 柴田 公隆; 西村 隆司; 鴫原 君男; 渡辺 斉 |
| 发表日期 | 1998-08-21 |
| 专利号 | JP1998223967A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 DFBレーザ101において、光導波領域での実効屈折率の変化により共振器の持つ結合定数κを変化させて、SHB現象による光出力電流特性の線形性の劣化を制御性よく抑制する。 【解決手段】 ガイド層51を構成する半導体結晶の組成を、共振器長方向における結合係数の変化により該共振器内での電界分布が均一化されるよう、該共振器長方向にて変化させた。 |
| 公开日期 | 1998-08-21 |
| 申请日期 | 1997-02-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84109]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田 公隆,西村 隆司,鴫原 君男,等. 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法. JP1998223967A. 1998-08-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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