半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 松本 啓資; 西村 隆司 |
| 发表日期 | 1998-06-26 |
| 专利号 | JP1998173291A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザと外部変調器と間の分離抵抗を向上させるためのデバイス構造を備えた半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザと変調器とを備えた外部変調器集積型の半導体レーザ装置において、光導波路の上に、電極材料とのオーミック接触をとるために形成された低抵抗コンタクト層は、活性層幅と同程度の幅に形成されてなる。 |
| 公开日期 | 1998-06-26 |
| 申请日期 | 1996-12-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84114]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 啓資,西村 隆司. 半導体レーザ装置. JP1998173291A. 1998-06-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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