半導体レーザ装置,及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 唐木田 昇市; 早藤 紀生; 木村 達也; 宮下 宗治; 杵築 弘隆; 西村 隆司 |
| 发表日期 | 1998-01-16 |
| 专利号 | JP1998012958A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置,及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 n型GaAs基板表面上にn型GaAs電流ブロック層、p型GaAsコンタクト層が積層された領域に無効電流が流れることにより、しきい値電流が著しく上昇し、極端な場合はレーザ発振が起こらなくなる。 【解決手段】 ダブルヘテロ構造下部62の両脇のn型GaAs基板1上にn型GaAs電流ブロック層8,p型GaAs電流ブロック層9,及びn型GaAs電流ブロック層10が積層されてなる埋め込み層70を設けることにより、基板1とp型GaAsコンタクト層11との間に無効電流が流れることを防止する。 |
| 公开日期 | 1998-01-16 |
| 申请日期 | 1996-06-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84124]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐木田 昇市,早藤 紀生,木村 達也,等. 半導体レーザ装置,及びその製造方法. JP1998012958A. 1998-01-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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