半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 阿南 隆由 |
| 发表日期 | 2001-05-18 |
| 专利号 | JP3189791B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 GaAs基板上に形成可能な3ミクロン帯の発光域を有する半導体レーザを開発する。 【解決手段】 活性領域401にGaAsSbから成る量子井戸層405を設ける。当該活性領域は、GaAs基板上に設ける事が出来る。 |
| 公开日期 | 2001-07-16 |
| 申请日期 | 1998-06-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84125]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿南 隆由. 半導体レーザ. JP3189791B2. 2001-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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