半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大柴 小枝子; 山内 義則; 堀川 英明 |
| 发表日期 | 1999-02-12 |
| 专利号 | JP1999040897A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高速変調が可能な、素子容量の小さい、かつ簡単な作製工程で作製できるFeドープの高抵抗InP埋め込み層で埋め込んだ半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 Feドープ高抵抗埋め込み層で埋め込まれた半導体レーザ素子において、n型InP基板1のストライプに有機金属気相成長法により形成されるアンドープInGaAsP活性層5とp型InPクラッド層6と、全体にエピタキシャル成長されるFeドープ高抵抗InP層7と、このFeドープ高抵抗InP層7上に選択的に形成されるp型InGaAsPコンタクト層9と、前記Feドープ高抵抗InP層7の内、前記p型InPクラッド層6と前記p型InGaAsPコンタクト層9が接した部分をp形半導体層からのp形ドーパントの拡散により、変質されるp形半導体層10とを具備する。 |
| 公开日期 | 1999-02-12 |
| 申请日期 | 1997-07-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84133]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大柴 小枝子,山内 義則,堀川 英明. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP1999040897A. 1999-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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