半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 柳澤 浩徳; 田中 俊明 |
| 发表日期 | 1995-05-02 |
| 专利号 | JP1995115243A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【構成】通常のAlGaInPクラッド層に引き続いて、基板に格子整合するII-VI族のZnMgSSeクラッド層を設ける。この時、ZnMgSSeはp型の高濃度ドーピングが困難で素子の直列抵抗が高くなるが、ZnMgSSe層に続いてバッファ層を介してコンタクト層としてp型の高濃度ドーピングが可能なZeTe層を設ける。 【効果】活性層とクラッド層のヘテロ障壁が向上した結果、電子の活性層への閉じ込めが格段に向上する。また、p型に高濃度ドーピング可能なコンタクト層を設けた結果、II-VI族を用いたことによる素子抵抗の上昇が抑制できた。このため、従来不可能であった0.5μm 帯における室温連続発振がIII-V 族のAlGaInP系半導体レーザで実現できた。 |
| 公开日期 | 1995-05-02 |
| 申请日期 | 1993-10-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84142]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柳澤 浩徳,田中 俊明. 半導体レーザ素子. JP1995115243A. 1995-05-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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