半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 奥西 久義; 内田 智士 |
| 发表日期 | 2008-02-21 |
| 专利号 | JP2008042082A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】FFPを小さくすることができながら、光出力-動作電流特性のキンクの発生を抑制することができる、リッジ導波路型の半導体レーザを提供する。 【解決手段】半導体レーザ1は、n型GaAs基板2上に、n型AlGaAsクラッド層32、MQW活性層33、p型InGaAlP下クラッド層34、p型InGaPエッチングストップ層35およびp型InGaAlP上クラッド層36の積層構造を有している。p型InGaAlP上クラッド層36は、p型InGaPエッチングストップ層35よりも幅狭な断面台形状に形成されている。n型GaAs基板2上は、p型GaAsコンタクト層37の上面を除いて、絶縁膜6によって覆われている。p型InGaAlP下クラッド層34は、p型不純物のドーピング濃度の相対的に高い高濃度層41と、その高濃度層41上に形成され、p型不純物のドーピング濃度の相対的に低い低濃度層42とを備えている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-02-21 |
| 申请日期 | 2006-08-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84144]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥西 久義,内田 智士. 半導体レーザ. JP2008042082A. 2008-02-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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