半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 上谷 ▲高▼弘; ▲廣▼山 良治 |
| 发表日期 | 1998-01-16 |
| 专利号 | JP1998012967A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 低しきい値電流と良好な温度特性を同時に満足できる半導体レーザ素子を提供することが目的である。 【解決手段】 電流ブロック層を有する実屈折率導波型のリッジ埋め込み半導体レーザにおいて、GaInP電流ブロック層の側面に熱伝導性の良いGaAs電流ブロック層を埋め込む。 |
| 公开日期 | 1998-01-16 |
| 申请日期 | 1996-06-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84146]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上谷 ▲高▼弘,▲廣▼山 良治. 半導体レーザ素子. JP1998012967A. 1998-01-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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