半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大坪 孝二 |
| 发表日期 | 1994-02-25 |
| 专利号 | JP1994053614A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 ダブルヘテロ埋め込み構造を有する高出力半導体発光素子に関し、より少ない結晶成長工程によって製造できる低コスト化可能な高出力半導体発光素子とその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 リッジ加工した第1導電型半導体基板1と、該リッジ側面を埋める高抵抗層6と、該高抵抗層に上に堆積され、前記第1導電型半導体基板のリッジ上面に開口部を形成して隆起する第1導電型半導体電流阻止層と、前記基板のリッジ上面に堆積され、側面を該電流阻止層で囲まれた第1導電型半導体光ガイド層2と、該光ガイド層2上に堆積され、側面を前記電流阻止層で囲まれた活性層3と、該活性層および前記電流阻止層を埋めるように堆積した第2導電型半導体クラッド層4と、該クラッド層上に堆積した第2導電型半導体コンタクト層5とを含む。 |
| 公开日期 | 1994-02-25 |
| 申请日期 | 1992-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84151]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大坪 孝二. 半導体発光素子およびその製造方法. JP1994053614A. 1994-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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