半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 堀江 秀善; 藤森 俊成; 長尾 哲; 細井 信行; 後藤 秀樹 |
| 发表日期 | 2006-04-21 |
| 专利号 | JP3795931B2 |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】電流阻止層に形成されるグルーブの形状を容易かつ比較的再現性良く決定し得る様に改良された新規な半導体発光素子を提供する。 【構成】第1導電型基板(1)上に、少なくとも、第1導電型下側クラッド層(3)、活性層(4)、第2導電型第1上側クラッド層(5)、第2導電型またはアンドープ型エッチング阻止層(6)、第1導電型またはアンドープ型電流阻止層(7)、キャップ層(8)、第2導電型第2上側クラッド層(9)、第2導電型コンタクト層(10)を順次に配置し、そして、エッチング阻止層(6)及びキャップ層(8)がMAs(MはIIIb族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、電流阻止層(7)がMP(MはIIIb族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、且つ、電流阻止層(7)に形成されるグルーブ(20)の各壁面に主として{111}面を露出して成る。 |
| 公开日期 | 2006-07-12 |
| 申请日期 | 1994-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84156]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀江 秀善,藤森 俊成,長尾 哲,等. 半導体発光素子. JP3795931B2. 2006-04-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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