窒化物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 木戸口 勲; 大塚 信之; 伴 雄三郎 |
| 发表日期 | 2003-07-25 |
| 专利号 | JP3454181B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 光の閉じ込めを向上させることにより、垂直横モードが安定なGaN系半導体レーザを提供する。 【解決手段】 基板上にn-Al0.07Ga0.93N第一クラッド層、活性層、p-Al0.07Ga0.93N第二クラッド層が積層されており、さらに、第一クラッド層と基板との間に第一クラッド層よりもAl組成の高い(または等しい)AlGaN層を形成することにより、活性層への光閉じ込めを向上させ、かつ、結晶へのクラック発生を抑制することができる。 |
| 公开日期 | 2003-10-06 |
| 申请日期 | 1999-03-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84161]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木戸口 勲,大塚 信之,伴 雄三郎. 窒化物半導体素子. JP3454181B2. 2003-07-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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