半導体レーザ,及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 永井 豊 |
| 发表日期 | 1999-03-09 |
| 专利号 | JP1999068231A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ,及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 無効電流を増加させることなくリッジ導波路と活性層との間に位置する上クラッド層の厚さを厚くすることができる半導体レーザ、及びその製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 p-AlGaAs第1上クラッド層4上に、レーザ共振器端面に対して垂直な方向にストライプ状に伸びる所定幅の電流狭窄領域100を除く領域10が酸化されているp-AlAs電流狭窄層5と、その幅方向の中心が、電流狭窄領域100の幅方向の中心上に位置するように電流狭窄層5上に配置された、その電流狭窄層5と接する側の幅が電流狭窄領域100の幅よりも広い、リッジ形状を有するp-AlGaAs第2上クラッド層6とを備えるようにした。 |
| 公开日期 | 1999-03-09 |
| 申请日期 | 1997-08-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84167]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 永井 豊. 半導体レーザ,及びその製造方法. JP1999068231A. 1999-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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