Semiconductor light-emitting device
文献类型：专利
| 作者 | CHIN, MING-TA; HUANG, KUO-FENG; SHEN, PING-FEI; WANG, CHING-JEN; CHANG, SHIH-PANG |
| 发表日期 | 2011-05-31 |
| 专利号 | US7953134 |
| 著作权人 | EPISTAR CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor light-emitting device |
| 英文摘要 | A semiconductor light-emitting device includes a substrate, a first cladding layer over the substrate, an active region on the first cladding layer, and a second cladding layer on the active region, wherein the active region includes a first type barrier layer that is doped and a second type barrier layer that is undoped, the first type barrier layer being closer to the first cladding layer than the second type barrier layer. |
| 公开日期 | 2011-05-31 |
| 申请日期 | 2008-12-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84181]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | EPISTAR CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | CHIN, MING-TA,HUANG, KUO-FENG,SHEN, PING-FEI,et al. Semiconductor light-emitting device. US7953134. 2011-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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