窒化ガリウム系化合物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 野崎 千晴; ジョン·レニー |
| 发表日期 | 2003-08-01 |
| 专利号 | JP3457516B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 p側電極とp側コンタクト層との間に生じるコンタクト抵抗を低くすることができ、低しきい値電流,低動作電圧で劣化を起こさず、信頼性の向上をはかる。 【解決手段】 サファイア基板1上にそれぞれ単結晶の、n-GaNコンタクト層3,n-AlGaNクラッド層4,GaN導波層5,MQW活性層6,GaN導波層6,p-AlGaNクラッド層8,p-GaNコンタクト層9を成長形成し、コンタクト層9上の一部にPt/Auからなるp側電極11,12を形成し、コンタクト層9からクラッド層4までを一部エッチングして露出したコンタクト層3上にTi/Auからなるn側電極13を形成したGaN系半導体レーザにおいて、コンタクト層9とp側電極11,12との間に、厚さが10nm以下でキャリア濃度が1×1017cm-3以上の多結晶のGaN層10を挿入した。 |
| 公开日期 | 2003-10-20 |
| 申请日期 | 1997-08-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84184]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野崎 千晴,ジョン·レニー. 窒化ガリウム系化合物半導体素子. JP3457516B2. 2003-08-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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