半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 軸谷 直人; 佐藤 俊一; 高橋 孝志 |
| 发表日期 | 2001-01-26 |
| 专利号 | JP2001024285A |
| 著作权人 | RICOH CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 AlGaInP系発光素子において、閾値電流,特性温度等の素子特性の改善を図ることの可能な半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 半導体基板1上に素子部が形成され、素子部には、格子定数がGaAsとGaPとの間の値をとる(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1P(0≦x1≦1,0.51x2Ga1-x2)y2In1-y2P(0≦x2≦1,0≦y2≦1)を井戸層6bとし、p型クラッド層7と同じ組成の層を障壁層6aとしてなる多重量子障壁構造(MQB構造)6が設けられている。 |
| 公开日期 | 2001-01-26 |
| 申请日期 | 1999-07-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84190]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | RICOH CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 軸谷 直人,佐藤 俊一,高橋 孝志. 半導体発光素子. JP2001024285A. 2001-01-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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