化合物半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 友村 好隆 |
| 发表日期 | 2007-02-08 |
| 专利号 | JP2007035968A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 急峻なヘテロ接合を有する高品質なIII-V族化合物半導体素子を提供する。 【解決手段】 SbとAsを含むIII-V族化合物半導体からなる第1の半導体層と、Sbを含まず、Asを含むIII-V族化合物半導体からなる第2の半導体層とのヘテロ接合を有する化合物半導体素子を、分子線エピタキシー法により製造する方法であって、前記第1の半導体層を形成する工程においてAs分子線の分子種としてAs4を用い、前記第2の半導体層を形成する工程においてAs分子線の分子種としてAs2を用いることを特徴とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-02-08 |
| 申请日期 | 2005-07-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84198]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 友村 好隆. 化合物半導体素子の製造方法. JP2007035968A. 2007-02-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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