半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 吉江 睦之 |
| 发表日期 | 2000-08-04 |
| 专利号 | JP2000216476A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 反射率が高い反射膜を有する半導体発光素子を提供することである。 【解決手段】 GaN系半導体レーザ素子100は、サファイア基板1上に、低温バッファ層2、n-コンタクト層3、n-クラッド層4、n-光ガイド層5、n-MQW発光層6、p-Al0.1 Ga0.9 N層7、p-光ガイド層8、p-クラッド層9およびp-コンタクト層10が順に積層されている。半導体レーザ素子100の後端面30は反射膜33により被覆されている。反射膜33は、8つのSiO2 膜31と8つのSi3 N4 膜32とが順に積層されてなり、SiO2膜31と後端面30とが接触する。 |
| 公开日期 | 2000-08-04 |
| 申请日期 | 1999-01-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84207]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉江 睦之. 半導体発光素子. JP2000216476A. 2000-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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