半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 八木 久晴; 松本 晃広 |
| 发表日期 | 1999-01-29 |
| 专利号 | JP1999026862A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高温雰囲気においても高信頼性を確保することができる半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体レーザは、半導体層の組成より、活性層106よりバッファ層105、107の禁制帯幅が大きく、またクラッド層104、108の禁制帯幅は、それぞれに接するバッファ層105、107の禁制帯幅より大きくなるように構成する。 |
| 公开日期 | 1999-01-29 |
| 申请日期 | 1997-06-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84208]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 八木 久晴,松本 晃広. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP1999026862A. 1999-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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