窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 幡 俊雄 |
| 发表日期 | 2007-03-09 |
| 专利号 | JP3927646B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 電流阻止層の除去部を埋め込む形のGaN系発光素子において、再成長前の熱処理によるクリーニング工程において、電流阻止層の除去部の底面に高抵抗の再堆積層が形成され、素子抵抗の増大、負性抵抗の出現、動作電圧の増大、素子信頼性不良や発光面積の減少が起こる。 【解決手段】 p型の上部第1クラッド表面層106と、上部第1クラッド表面層106上に設けられ、電流を注入するためのストライプ溝120を有するn型の電流阻止層107と、ストライプ溝120を覆うように設けられたp型の上部第2クラッド層とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、上部第1クラッド表面層106の不純物密度が、電流阻止層107の不純物密度より大きく設定されていることを特徴とする |
| 公开日期 | 2007-06-13 |
| 申请日期 | 1997-04-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84212]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幡 俊雄. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法. JP3927646B2. 2007-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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