半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 日向 進 |
| 发表日期 | 2005-02-10 |
| 专利号 | JP3645664B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力化が可能で、かつ信頼性が高い半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 n型基板3の上面18にn型クラッド層4を形成する工程と、n型クラッド層4の上に活性層5を形成する工程と、活性層5の上にp型クラッド層6を形成する工程と、p型クラッド層6の上にp型コンタクト層を形成する工程と、活性層5の端面からなる出射面12にレーザ光15を照射することにより、出射面12に付着した不純物を除去する工程とを備える。 |
| 公开日期 | 2005-05-11 |
| 申请日期 | 1996-08-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84220]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 日向 進. 半導体レーザの製造方法. JP3645664B2. 2005-02-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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