半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田中 清武; 足立 秀人; 木戸口 勲; 高森 晃 |
| 发表日期 | 1997-03-07 |
| 专利号 | JP1997064453A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ高出力化のための劈開面保護膜の形成方法を提供する。 【構成】 同一真空容器において、半導体レーザの劈開面203にプラズマ205を照射することにより劈開面203に付着した水分と自然酸化膜を除去し、劈開面203を窒化し、その後劈開面保護膜208を形成する。 【効果】 劈開面203の水分と自然酸化膜を除去することによりCODレベルが向上し、半導体レーザが高出力化される。また、劈開面保護膜208の劈開面203への密着力が向上し、半導体レーザの信頼性が向上する。 |
| 公开日期 | 1997-03-07 |
| 申请日期 | 1995-08-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84222]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 清武,足立 秀人,木戸口 勲,等. 半導体レーザの製造方法. JP1997064453A. 1997-03-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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