光半導体素子
文献类型:专利
作者 | 小林 宏彦; 山本 剛之 |
发表日期 | 1999-01-29 |
专利号 | JP1999026874A |
著作权人 | FUJITSU LTD |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 光半導体素子 |
英文摘要 | 【課題】 光半導体素子に関し、光半導体素子の直列抵抗を増大させることなく、スポットサイズを対称にする。 【解決手段】 光を導波するための一層以上からなるコア層2のサイズが光の出射端面に向かって連続的に減少しているテーパ導波路部6がn型半導体基板1上に集積化すると共に、テーパ導波路部6にのみ、且つ、少なくともテーパ導波路部6の先端部において、コア層2とn型半導体基板1との間にn型半導体基板1より高屈折率の屈折率制御層5を設ける。 |
公开日期 | 1999-01-29 |
申请日期 | 1997-06-30 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84230] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | FUJITSU LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 宏彦,山本 剛之. 光半導体素子. JP1999026874A. 1999-01-29. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。