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光半導体素子

文献类型:专利

作者小林 宏彦; 山本 剛之
发表日期1999-01-29
专利号JP1999026874A
著作权人FUJITSU LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体素子
英文摘要【課題】 光半導体素子に関し、光半導体素子の直列抵抗を増大させることなく、スポットサイズを対称にする。 【解決手段】 光を導波するための一層以上からなるコア層2のサイズが光の出射端面に向かって連続的に減少しているテーパ導波路部6がn型半導体基板1上に集積化すると共に、テーパ導波路部6にのみ、且つ、少なくともテーパ導波路部6の先端部において、コア層2とn型半導体基板1との間にn型半導体基板1より高屈折率の屈折率制御層5を設ける。
公开日期1999-01-29
申请日期1997-06-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84230]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位FUJITSU LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
小林 宏彦,山本 剛之. 光半導体素子. JP1999026874A. 1999-01-29.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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