半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮▲嵜▼ 啓介 |
| 发表日期 | 2007-07-20 |
| 专利号 | JP3985978B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 ディスクからの戻り光によるトラッキングエラーを回避でき、良好な素子特性及び高信頼性を享受でき、かつ生産性を向上できる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 第1導電型クラッド層13と第2導電型クラッド層15との間に活性層14が形成され、表面にキャップ層18が形成されたレーザウェハのキャップ層18上に単結晶からなる第2のウェハ19を熱処理により接着し、その後劈開分割により個々のレーザチップに分割して、活性層14をレーザチップの厚さのほぼ中央の位置とする。 |
| 公开日期 | 2007-10-03 |
| 申请日期 | 1997-10-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84233]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮▲嵜▼ 啓介. 半導体レーザ素子の製造方法. JP3985978B2. 2007-07-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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