半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一; 斉藤 勝利; 梶村 俊 |
| 发表日期 | 1997-07-18 |
| 专利号 | JP2674594B2 |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】戻り光雑音に強いとされる自励発振する半導体レーザを容易な構造で実現すること。 【構成】活性層と、当該活性層に接合され且つこれよりも屈折率の小さなクラッド層と、当該クラッド層中に離間して設けられ且つこれと逆導電型を有し且つこれより屈折率の大きい光吸収層とを含み、この活性層と光吸収層との間にクラッド層より屈折率または光吸収の大きい第1の半導体層が形成して半導体レーザ装置を構成する。 【効果】第1の半導体層は、ストライプ外部に染みだした光に対し強い吸収を持つ。ストライプ内外の利得差が大きい場合、ストライプ領域の屈折率変動によりレーザのスポットサイズが大きく変わり、これに伴う自励発振が発生する。 |
| 公开日期 | 1997-11-12 |
| 申请日期 | 1987-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84237]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,斉藤 勝利,梶村 俊. 半導体レーザ装置. JP2674594B2. 1997-07-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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