半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 村山 実; 田邉 哲弘; 岡 広明; 辻 泰宏 |
| 发表日期 | 1996-09-13 |
| 专利号 | JP1996236864A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体基板の結晶成長に伴い生じる副生成物の悪影響を受けない製造効率及び歩留まりの高く半導体装置を製造する。 【構成】 基板上に成長層を形成した後、反応炉内の温度を降下させた後、反応炉内の温度が室温より高い所定の温度に維持されるように制御した状態で別の基板を反応炉内に挿入し同様に成長層を形成する。 |
| 公开日期 | 1996-09-13 |
| 申请日期 | 1995-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84242]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村山 実,田邉 哲弘,岡 広明,等. 半導体装置の製造方法. JP1996236864A. 1996-09-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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