半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮嵜 啓介; 兼岩 進治 |
| 发表日期 | 2000-02-18 |
| 专利号 | JP3034177B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ素子101において、雑音特性の劣化を抑えつつ、発振閾値電流もしくは駆動電流を小さくし、しかも十分な信頼性を確保する。 【構成】 活性層13上に極薄いGaAs成長促進層15を介して形成され、該活性層13まで達するストライプ状開口40aを持つ絶縁性電流狭窄層40と、該絶縁性電流狭窄層40上にそのストライプ状開口40a内を埋め込むよう形成されたpクラッド層20とを備えた。 |
| 公开日期 | 2000-04-17 |
| 申请日期 | 1994-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84244]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮嵜 啓介,兼岩 進治. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP3034177B2. 2000-02-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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